【摘要】 本实用新型涉及一种具有改进型终端的半导体器件。其终端保护区包括第一沟槽；第一沟槽内填充有第一绝缘介质层，所述第一沟槽上设置有第二绝缘介质层，第二绝缘介质层覆盖第一沟槽槽口并覆盖终端保护区；所述第一沟槽上方的第二绝缘介质层上面覆盖有第一金属层，所述第一金属层与栅极金属或源极金属相连接，使第一金属层在MOS器件在反向阻断状态时为零电位；所述第一沟槽对应于远离有源区一侧设置第三引线孔，所述第二金属层覆盖在第二绝缘介质层上，并填充在第三引线孔内；所述第二金属层通过第二导电类型层与第一导电类型衬底层连接为等电位。本实用新型能够保证器件耐压性能的同时，还控制其在终端保护区中所占的面积，降低了制造成本。。 【专利类型】实用新型 【申请人】无锡新洁能功率半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214131 江苏省无锡市滨湖区华清路太湖科技中心8楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020188110.2 【申请日】2010-05-04 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201877431U 【公开公告日】2011-06-22 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201877431U 【授权公告日】2011-06-22 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L21/336 【发明人】朱袁正; 叶鹏; 丁磊 【主权项内容】一种具有改进型终端的半导体器件，在MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区和终端保护区，所述有源区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于有源区的外围；所述有源区采用沟槽结构，有源区通过元胞沟槽内的导电多晶硅并联成整体；其特征是：在所述MOS器件的截面上，所述终端保护区采用沟槽结构，终端保护区包括第一沟槽；所述第一沟槽位于第二导电类型层，深度伸入第二导电类型下方的第一导电类型外延层；所述第二导电类型层位于第一导电类型外延层上部且贯穿整个终端保护区；在所述MOS器件的截面上，所述第一沟槽内填充有第一绝缘介质层，所述第一沟槽上设置有第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层覆盖第一沟槽槽口并覆盖终端保护区；在所述MOS器件的截面上，所述第一沟槽上方的第二绝缘介质层上面覆盖有第一金属层，所述第一金属层与栅极金属或源极金属相连接，使第一金属层在MOS器件在反向阻断状态时为零电位；所述第一沟槽对应于远离有源区一侧设置第三引线孔，所述第三引线孔从第二绝缘介质层表面延伸至第二导电类型层；所述第三引线孔上方淀积有第二金属层，所述第二金属层覆盖在第二绝缘介质层上，并填充在第三引线孔内；所述第二金属层通过第二导电类型层与第一导电类型衬底层连接为等电位；所述第一导电类型层包括位于半导体基板底部的第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上面的第一导电类型外延层，以及位于第一导电类型外延层上部的第一导电类型注入层；所述第二导电类型层位于第一导电类型外延层的上部；所述源极金属覆盖在有源区上，形成MOS器件的源极端；所述栅极金属形成MOS器件的栅极端。 【当前权利人】无锡新洁能功率半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区华清路太湖科技中心8楼 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【引证次数】4.0 【被引证次数】7 【他引次数】4.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7

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