【摘要】本实用新型提供一种防伪证照,采用双重防伪,所述防伪证照在证照本体表面分别覆有电子标签和防伪油墨层,所述电子标签也可以夹在证照本体内。本实用新型的优点是:使用上述两项防伪技术的证、照,既能用眼睛立辨真假,又能通过RFID读写器读出覆在
【摘要】 本实用新型提供了一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的结构,通过该结构能有效消除运放失调电压,且不需增加运放主体电路的器件,进而不会带来额外的电容,不会影响运放的速度。其特征在于:其包括运算放大器,所述运算放大器的两输入端通过可选择开关接地、或连接工作电压,所述运算放大器的两个PMOS管中,一个PMOS管的衬底电压接入定值电压Vc,另一个PMOS管的衬底电压连接电压型数模转换器的输出电压,所述运算放大器的输出端连接比较器的负极,所述比较器的正极连接基准电压V,所述比较器连接N位减数器,所述N位减数器外接时钟输入,所述减数器的输出端连接所述电压型数模转换器。 【专利类型】实用新型 【申请人】无锡思泰迪半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路16号软件园1109室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201020621757.X 【申请日】2010-11-24 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201893756U 【公开公告日】2011-07-06 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201893756U 【授权公告日】2011-07-06 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H03F3/45 【发明人】吴明远; 应祖金; 黄海滨 【主权项内容】一种利用衬体偏置效应消除运放失调电压的结构,其特征在于:其包括运算放大器,所述运算放大器的两输入端通过可选择开关接地、或连接工作电压,所述运算放大器的两个PMOS管中,一个PMOS管的衬底电压接入定值电压Vc,另一个PMOS管的衬底电压连接电压型数模转换器的输出电压,所述运算放大器的输出端连接比较器的负极,所述比较器的正极连接基准电压V,所述比较器连接N位减数器,所述N位减数器外接时钟输入,所述减数器的输出端连接所述电压型数模转换器。 【当前权利人】无锡思泰迪半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路16号软件园1109室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320214690284302H 【被引证次数】6 【被自引次数】4.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】6
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