【摘要】本实用新型涉及一种无基岛多圈脚静电释放圈引线框结构,包括静电释放圈(1)和引脚(2),在所述静电释放圈(1)和引脚(2)的正面和背面分别设置有第一金属层(4)和第二金属层(5),引脚(2)有多圈,引脚(2)正面尽可能的延伸到静电释放
【摘要】 本实用新型涉及一种低凸点芯片尺寸封装结构,属于集成电路或分立器件封装技术领域。包括芯片本体(1),在芯片本体(1)表面设有一焊垫(2),焊垫(2)外周边及外周边以外的芯片本体(1)表面设有保护层(3),而焊垫(2)中间形成焊垫开口处,其特征在于:在所述焊垫开口处的焊垫表面及焊垫开口处周边的保护层上依次叠加有金属薄膜(4)、金属柱(5)和锡基低熔点金属层(6),所述锡基低熔点金属层(6)材料是纯锡或锡合金。本实用新型低凸点芯片尺寸封装结构能降低封装厚度,提高电信号传输,提升器件散热能力且低成本。。 【专利类型】实用新型 【申请人】江阴长电先进封装有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214434 江苏省江阴市开发区澄江中路275号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201020133900.0 【申请日】2010-03-15 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201758121U 【公开公告日】2011-03-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201758121U 【授权公告日】2011-03-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L23/485; H01L23/492 【发明人】赖志明; 张黎; 陈栋; 陈锦辉 【主权项内容】一种低凸点芯片尺寸封装结构,包括芯片本体(1),在芯片本体(1)表面设有一焊垫(2),焊垫(2)外周边及外周边以外的芯片本体(1)表面设有保护层(3),而焊垫(2)中间形成焊垫开口处,其特征在于:在所述焊垫开口处的焊垫表面及焊垫开口处周边的保护层上依次叠加有金属薄膜(4)、金属柱(5)和锡基低熔点金属层(6),所述锡基低熔点金属层(6)材料是纯锡或锡合金。 【当前权利人】江阴长电先进封装有限公司 【当前专利权人地址】江苏省江阴市开发区澄江中路275号 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台投资、非独资) 【统一社会信用代码】91320281753943521E 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3
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