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一种MEMS压力敏感芯片专利

时间:2026-06-18    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本实用新型提供了一种MEMS压力敏感芯片。其能有效提高芯片的稳定性,其误差小、精度高。其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件,其特征在于:所述基底具体为衬底硅片,所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽,所述衬底硅片的上表面为二氧化硅(SiO2)的氧化层,所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。 【专利类型】实用新型 【申请人】无锡市纳微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路7号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201020166950.9 【申请日】2010-04-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201716136U 【公开公告日】2011-01-19 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201716136U 【授权公告日】2011-01-19 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G01L1/18 【发明人】沈绍群; 周刚; 王树娟; 郭玉刚 【主权项内容】一种MEMS压力敏感芯片,其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件,其特征在于:所述基底具体为衬底硅片,所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽,所述衬底硅片的上表面为二氧化硅(SiO2)的氧化层,所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。 【当前权利人】无锡市纳微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路7号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320214670140010Q 【被引证次数】5 【被自引次数】2.0 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】5

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