【摘要】 本实用新型涉及一种半导体用氟表面蚀刻液生产装置，其特征在于：它包括氢氟酸储罐(1)、缓冲剂储罐(2)、第一混合罐(3)、硝酸储罐(4)、稳定剂储罐(5)、第二混合罐(6)、去离子水储罐(7)、第三混合罐(8)、过滤器(9)和成品罐(10)。本实用新型半导体用氟表面蚀刻液生产装置，将氢氟酸与缓冲剂在第一混合罐中充分搅拌混合均匀，将硝酸与稳定剂在第二混合罐中充分搅拌混合均匀后，再进入第三混合罐中混合，过滤后封装。其分散混合均有性好、且操作安全性好，产品杂质含量少。 【专利类型】实用新型 【申请人】江阴市润玛电子材料有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214423 江苏省江阴市周庄镇欧洲工业园常青北路1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201020250851.9 【申请日】2010-07-01 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201768554U 【公开公告日】2011-03-23 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201768554U 【授权公告日】2011-03-23 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】B01J10/00; B01J19/02; B01F3/08; B01F7/16; C23F1/24 【发明人】戈士勇 【主权项内容】一种半导体用氟表面蚀刻液生产装置，其特征在于：它包括氢氟酸储罐(1)、缓冲剂储罐(2)、第一混合罐(3)、硝酸储罐(4)、稳定剂储罐(5)、第二混合罐(6)、去离子水储罐(7)、第三混合罐(8)、过滤器(9)和成品罐(10)；所述氢氟酸储罐(1)和缓冲剂储罐(2)分别与第一混合罐(3)进口相连接；所述硝酸储罐(4)和稳定剂储罐(5)分别与第二混合罐(6)进口相连接；所述第一混合罐(3)和第二混合罐(6)出口分别与第三混合罐(8)进口相连接，所述第三混合罐(8)进口上还连有去离子水储罐(7)；所述第三混合罐(8)出口与过滤器(9)进口相连接，所述过滤器(9)出口与成品罐(10)相连接；所述第一混合罐(3)、第二混合罐(6)和第三混合罐(8)内均设有搅拌器。 【当前权利人】江阴润玛电子材料股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市江阴市周庄镇欧洲工业园区 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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