【摘要】 本发明实施例公开了一种镀氮化硅减反射膜的方法，包括：向炉管充氮气，将插有硅片的石墨舟放进该炉管；保持炉内温度c1；进行压力测试，保证压力恒定；氨气吹扫及预沉积，温度为c1，氨气体积为4～5L，射频功率为2000～3000w，时间为100～200s；依次进行三次沉积，各次沉积温度依次下降预设度数c2，其他工艺参数均为：氨气流量为3500～4500sccm，硅烷流量为450～600sccm，射频功率为2000～3000w，持续时间为250～300s，占空比为5∶50，压强为180～200Pa；镀氮化硅减反射膜过程结束。本发明实施例改善氮化硅薄膜的均匀性，从而提高太阳能电池片的电性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】江阴浚鑫科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214443 江苏省江阴市申港镇镇澄路1011号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201010570483.0 【申请日】2010-12-02 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102185012A 【公开公告日】2011-09-14 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L31/18; C23C16/34 【发明人】钱明星; 郭建东; 樊选东; 汪琴霞; 罗军 【主权项内容】一种镀氮化硅减反射膜的方法，其特征在于，包括：向炉管充氮气，将插有硅片的石墨舟放进该炉管；保持炉内温度c1＝455～465℃，时间至少为8分钟；进行压力测试，保证压力恒定；氨气吹扫及预沉积，温度为c1，氨气体积为4～5L，射频功率为2000～3000w，时间为100～200s；依次进行三次沉积，各次沉积温度依次下降预设度数c2，其他工艺参数均为：氨气流量为3500～4500sccm，硅烷流量为450～600sccm，射频功率为2000～3000w，持续时间为250～300s，占空比为5∶50，压强为180～200Pa；镀氮化硅减反射膜过程结束，依次进行抽真空、压力测试、循环吹扫及充氮气后，将所述石墨舟出炉。。 【当前权利人】江阴浚鑫科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省江阴市申港镇镇澄路1011号 【引证次数】3.0 【被引证次数】14 【他引次数】3.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】13.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】14

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