【摘要】 本实用新型公开了一种采用二极管架构的低压电平转高压电平电路，包括二极管、高压NMOS管、电流镜与锁存器，其中二极管包括第一二极管D1和第二二极管D2，高压NMOS管包括第一高压NMOS管N1和第二高压NMOS管N2，电流镜由第一PMOS管P1和第二PMOS管P2组成，锁存器由第一反相器I1和第二反相器I2组成，这两个反相器的电源端接第一高压电位HVDD，地端接第二高压电位VSW，且第一高压电位HVDD的电压大于第二高压电位VSW，第一反相器I1的输出作为第二反相器I2的输入，同时第二反相器I2的输出作为第一反相器I1的输入，第一反相器I1的输入同时接到第二二极管D2的负端和第二PMOS管P2的漏端，锁存器(4)的输出端OUT为第一反相器I1的输出端。电路结构比较简单，控制起来稳定可靠。 【专利类型】实用新型 【申请人】无锡芯朋微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市无锡新区长江路21-1号创源大厦8楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201020610015.7 【申请日】2010-11-17 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201887743U 【公开公告日】2011-06-29 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201887743U 【授权公告日】2011-06-29 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H03K19/0185 【发明人】张立新; 邹宇彤; 陈健; 易扬波; 周飙; 李海松; 张韬; 胡旅顺 【主权项内容】1.一种采用二极管架构的低压电平转高压电平电路，包括二极管(1)、高压NMOS管(2)、电流镜(3)与锁存器(4)，其特征是：所述二极管(1)包括第一二极管D1和第二二极管D2，它们的的正端接第二高压电位VSW，负端接高压NMOS管(2)的输入端和电流镜(3)的输出端； 所述高压NMOS管(2)包括第一高压NMOS管N1和第二高压NMOS管N2，第一高压NMOS管的栅端接第一控制信号SET，第二高压NMOS管的栅端接第二控制信号CLR，两个高压NMOS管的源端接地电位VGND，两个高压NMOS管的漏端作为输入端，接第一二极管D1和第二二极管D2的负端和电流镜(3)的输出端； 所述电流镜(3)由第一PMOS管P1和第二PMOS管P2组成，第一PMOS管P1和第二PMOS管P2的源端接第一高压电位HVDD，两者的栅连接在一起接到第一PMOS管P1的漏端，两者的漏端作为电流镜(3)的输出端；所述锁存器(4)由第一反相器I1和第二反相器I2组成，这两个反相器的电源端接第一高压电位HVDD，地端接第二高压电位VSW，且第一高压电位HVDD的电压大于第二高压电位VSW，第一反相器I1的输出作为第二反相器I2的输入，同时第二反相器I2的输出作为第一反相器I1的输入，第一反相器I1的输入同时接到第二二极管D2的负端和第二PMOS管P2的漏端，锁存器(4)的输出端OUT为第一反相器I1的输出端。 【当前权利人】无锡芯朋微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡新区长江路21-1号创源大厦8楼 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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