【摘要】 本发明公布了一种LED驱动芯片用40V-BCD工艺、LDMOS器件及制备方法，先保留了CMOS的部分低压工艺，采用自对准离子注入工艺，形成BCD工艺平台的低压器件，然后将15V-CMOS器件的P-Drift工艺优化成新型结构LDMOS器件的P-Body沟道工艺，并利用自对准离子注入工艺，在P-Body下方形成能分担沟道电场的P-Bury埋层，缩短了功率器件的耐压漂移区长度，降低功耗。本发明提出的BCD方案是将现有的CMOS工艺基础与LED驱动芯片应用紧密地结合，相比较定制的BCD技术有效地缩短了工艺流程，降低了成本，具有极大的可行性。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡晶凯科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214061 江苏省无锡市湖滨路655号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】宜兴市 【申请号】CN201010244223.4 【申请日】2010-08-03 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101944486A 【公开公告日】2011-01-12 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/265; H01L29/78 【发明人】黄伟; 徐湘海; 王胜; 万清; 胡南中 【主权项内容】一种LED驱动芯片用40V‑BCD工艺，其特征在于包括如下步骤：a)准备P型衬底硅片；b)形成有源区；c)自对准形成高压P型阱HVPW；d)自对准形成高压N型阱HVNW；e)在HVNW阱中，自对准形成LDMOS器件的P‑Body体区以及P‑Bury埋层区；f)在高压P型阱中，自对准形成HVPW中漂移区Ndrift区域；g)自对准形成低压P型阱LVPW；h)自对准形成低压N型阱LVNW；i)制备两薄栅氧DGO(高压薄栅氧DGO1，低压薄栅氧DGO2)；j)制备多晶硅栅；k)自对准形成多晶硅栅的侧墙结构；l)形成重掺杂N+型、重掺杂P+型的器件源漏区域；m)自对准形成钛硅化物薄膜；n)淀积介质层并形成接触孔；o)金属引线制备及钝化处理。 【当前权利人】无锡晶凯科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市湖滨路655号603室 【专利权人类型】有限责任公司 【引证次数】1.0 【被引证次数】3 【他引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】3

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