【摘要】本实用新型公开了一种缝纫吸尘装置，包括风机(3)、吸风管道(2)、吸风口(1)、尘屑收集袋(4)，其特征在于在缝纫机的底板(6)正对机针处开一个吸风口(1)，吸风口(1)下端连接吸风管道(2)，吸风管道(2)的另一端连接与尘屑收集袋
【摘要】 本发明是对集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT改进，其特征是ESD保护单元的多晶二极管组中各P型区浓度与功率MOSFET或IGBT的P阱浓度相同，各N型区浓度与功率MOSFET或IGBT的N+源相同；多晶二极管组在栅极压焊区与元胞区间半环绕栅极压焊区设置，如果为栅插指结构，将半环绕的多晶二极管组中间由栅极插指结构隔开，形成不连通的左右L型，其中多晶二极管的各P型区和各N型区，分别由功率MOSFET或IGBT的P阱和N+源注入和扩散形成。所得ESD保护的功率MOSFET或IGBT，栅极与源极间漏电小，制备时栅、源极间击穿电压可调，ESD泄放能力高、可靠性好，制造简单。 【专利类型】发明申请 【申请人】江苏东光微电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214204 江苏省宜兴市新街百合工业园 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】宜兴市 【申请号】CN201010502011.1 【申请日】2010-09-24 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101982881A 【公开公告日】2011-03-02 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101982881B 【授权公告日】2012-12-12 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L27/02; H01L29/861; H01L29/06; H01L21/77 【发明人】钱梦亮; 陈俊标; 李泽宏 【主权项内容】集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT，包括跨接在功率MOSFET或IGBT栅、源极间的ESD保护单元，其特征在于ESD保护单元的多晶二极管组中各P型区浓度与功率MOSFET或IGBT的P阱浓度相同，各N型区浓度与功率MOSFET或IGBT的N+源相同；多晶二极管组在栅极压焊区与元胞区间半环绕栅极压焊区设置，如果为栅插指结构，将半环绕的多晶二极管组中间由栅极插指结构隔开，形成不连通的左右L型。 【当前权利人】江苏东晨电子科技有限公司; 无锡矽能微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市宜兴市新街街道百合工业园; 【专利权人类型】股份有限公司(上市、自然人投资或控股) 【引证次数】4.0 【被引证次数】14 【他引次数】4.0 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】15
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