【摘要】提高氮化镓基发光二极管内量子效率的外延生长方法,属于半导体技术领域,在生长氮化镓基蓝光绿光发光二极管有源区的铟镓氮量子阱层期间,使氨气和Ⅲ族金属有机源材料镓和铟交替脉冲地输入生长反应室。在设定的持续时间、间隔和脉冲周期下,该调制生长
【摘要】 本实用新型公开了一种数码摄像机FPC,包括基材板、覆盖膜和补强,所述覆盖膜设置在基材板的上下两面,所述补强设置在基材板下面覆盖膜的下面。本实用新型具备构造简单、耐弯折、耐压、耐热、使用方便、高灵敏度、使用寿命长等优点。 【专利类型】实用新型 【申请人】扬州华盟电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225600 江苏省高邮市经济开发区屏淮北路588号 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请人区县】高邮市 【申请号】CN201020233989.8 【申请日】2010-06-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201726588U 【公开公告日】2011-01-26 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201726588U 【授权公告日】2011-01-26 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H05K1/02 【发明人】王军 【主权项内容】一种数码摄像机FPC,其特征在于:包括基材板(1)、覆盖膜(2)和补强(3),所述覆盖膜(2)设置在基材板(1)的上下两面,所述补强(3)设置在基材板(1)下面覆盖膜(2)的下面。 【当前权利人】扬州华盟电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省高邮市经济开发区屏淮北路588号 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】913210847923169856
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