【摘要】 提高氮化镓基发光二极管内量子效率的外延生长方法，属于半导体技术领域，在生长氮化镓基蓝光/绿光发光二极管有源区的铟镓氮量子阱层期间，使氨气和Ⅲ族金属有机源材料镓和铟交替脉冲地输入生长反应室。在设定的持续时间、间隔和脉冲周期下，该调制生长过程会形成高发光效率的铟镓氮量子阱发光层。该方法可减弱铟镓氮/氮化镓量子阱的内建电场，提高量子局域化效应，增强辐射复合几率，增加发光的内量子效率，从而提高发光二极管的发光效率和亮度。该方法适用于高亮度、高发光效率的氮化基蓝光/绿光发光二极管外延材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长。 【专利类型】发明申请 【申请人】扬州中科半导体照明有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225009 江苏省扬州市邗江中路119号 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请人区县】邗江区 【申请号】CN201010216451.0 【申请日】2010-07-05 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101937954A 【公开公告日】2011-01-05 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101937954B 【授权公告日】2013-03-20 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L33/12; C23C16/44 【发明人】闫发旺; 宋雪云 【主权项内容】提高氮化镓基发光二极管内量子效率的外延生长方法，其特征在于包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底上依次生长低温氮化镓缓冲层、氮化镓成核层、n型氮化镓层；2)在生长铟镓氮量子阱层期间，在氮化镓基蓝光/绿光发光二极管有源区的铟镓氮量子阱层生长温度环境下，于N2或H2保护下，使NH3和Ⅲ族金属有机源材料镓和铟交替地脉冲输入生长反应室，形成铟镓氮量子阱层；所述反应室压强为300Torr；3)在铟镓氮量子阱层上再生长氮化镓量子势垒层；4)循环重复以上步骤2)和3)至少两次；5)最后生长p型氮化镓层。 【当前权利人】扬州中科半导体照明有限公司 【当前专利权人地址】江苏省扬州市邗江中路119号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91321091668993305B 【引证次数】5.0 【被引证次数】18 【他引次数】5.0 【被他引次数】18.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】18

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