【摘要】 用于氧化物半导体薄膜生长的水汽外延装置，涉及半导体薄膜生长技术领域，立式反应室内设有在一下竖直方向上的一个上加热器和一个下加热器，上加热器为以石墨为加热基体的电阻加热装置，下加热器为以石英片为加热基体的电阻加热装置，水汽产生系统连接在立式反应室的一侧，与该侧相对的另一侧设置废气排出孔。本实用新型提供的水汽外延装置，成本低廉，其源和衬底之间有一温度梯度，在温度梯度的作用下，水汽和被挥发的金属蒸汽在衬底表面发生氧化反应，从而生长出均匀高质量的氧化物半导体薄膜。反应室内金属原料在下，衬底在上，可有效避免环境内杂质在衬底上的沉积，可生长出致密均匀的高质量氧化物半导体薄膜。。 【专利类型】实用新型 【申请人】扬州大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】225009 江苏省扬州市大学南路88号 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请人区县】广陵区 【申请号】CN201020559163.0 【申请日】2010-09-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201826011U 【公开公告日】2011-05-11 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201826011U 【授权公告日】2011-05-11 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C23C16/44; C23C16/46 【发明人】孟祥东; 曾祥华; 陈小兵 【主权项内容】用于氧化物半导体薄膜生长的水汽外延装置，包括水汽产生系统和立式反应室，其特征在于所述立式反应室内设有一个上加热器和一个下加热器，所述上加热器和下加热器布置在一下竖直方向上；所述上加热器为以石墨为加热基体的电阻加热装置；所述下加热器为以石英片为加热基体的电阻加热装置；所述水汽产生系统连接在所述立式反应室的一侧，与该侧相对的另一侧设置废气排出孔。 【当前权利人】扬州大学 【当前专利权人地址】江苏省扬州市大学南路88号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12320000466007837W 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3

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