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硅PNP型高频小功率晶体管专利

时间:2026-06-13    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 硅PNP型高频小功率晶体管,包括P型衬底硅片(7),其中,该P型衬底硅片(7)的外表面形成有由三族元素中的任一种元素与金形成的合金复合层。本实用新型的硅PNP型高频小功率晶体管按一定比例将三族元素中的任一种,例如镓掺入纯金替代原来晶体管的背金(即背面金属化),使得合金复合层达到一定的厚度和金层总量的要求,并对衬底硅片的背面,即外表面形成一定深度的渗入。实验证实,本实用新型的硅PNP型高频小功率晶体管有利于成品芯片在封装过程中提高可焊性、降低所述硅PNP高频小功率晶体管的饱和压降、降低饱和压降的变化率,提高晶体管性能参数的稳定性。 【专利类型】实用新型 【申请人】扬州晶新微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225009 江苏省扬州市经济开发区鸿大路29号 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请人区县】广陵区 【申请号】CN201020676224.1 【申请日】2010-12-14 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201985100U 【公开公告日】2011-09-21 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201985100U 【授权公告日】2011-09-21 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/732; H01L29/06; H01L29/26 【发明人】张俊; 张顺英 【主权项内容】硅PNP型高频小功率晶体管,包括P型衬底硅片(7),其特征是,该P型衬底硅片(7)的外表面设有由三族元素中的任一种元素与金形成的合金复合层。 【当前权利人】扬州晶新微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省扬州市经济开发区鸿大路29号 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】913210917115473363 【被引证次数】3 【被自引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】3

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