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PECVD上下同时镀膜方法专利

时间:2026-06-04    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明涉及PECVD镀膜设备技术领域,特别是一种提高硅片镀膜效率的PECVD上下同时镀膜方法。该方法是将单一的上镀膜设备或下镀膜设备改造成PECVD上下同时镀膜设备,在石墨载板上同时放置上下叠加的两张硅片,PECVD上下同时镀膜设备在叠加的两张硅片的两上下外露面上同时镀膜。可在单一腔体内实现产能的100%提升;同时硅片的上下叠加放置,减少了硅片背面的污染,提高电性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010294787.9 【申请日】2010-09-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102094184A 【公开公告日】2011-06-15 【公开公告年份】2011 【发明人】张瞩君 【主权项内容】一种PECVD上下同时镀膜方法,其特征是:在PECVD上下同时镀膜设备(1)的石墨载板(2)上同时放置上下叠加的两张硅片(3),PECVD上下同时镀膜设备(1)在叠加的两张硅片(3)的两上下外露面上同时镀膜。 【当前权利人】常州天合光能有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】7

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