【摘要】本实用新型涉及电机技术领域，具体涉及一种安装、拆卸方便的电机轴承盖组件，包括设置在电机旋转轴一端的端盖，端盖上具有供旋转轴穿过的通孔，所述旋转轴一端设置有扳手槽，所述端盖上设置有轴承盖。本实用新型的有益效果是与现有技术相比具有结构简
【摘要】 本发明涉及太阳能电池生产方法技术领域，尤其是一种太阳能电池用多晶硅片的后清洗工艺，其具有如下步骤：a.将多晶硅片经硅片制绒、扩散，得到25～80ohm/Sq的均匀扩散区；b.再用酸溶液进行腐蚀，酸溶液中：HF体积浓度占1.6％～4.5％，HNO3体积浓度占20％～30％，CH3COOH体积浓度占33％～39％，其余为H2O，将腐蚀时间控制在20～180秒，温度为15～25℃。本发明硅片的后清洗工艺，通过优化溶液配比，可精确控制溶液的反应速率，而且硅片表面的反射率没有提高，从而提高了太阳能电池的效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010238237.5 【申请日】2010-07-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101976700B 【公开公告日】2011-12-07 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101976700B 【授权公告日】2011-12-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L31/18; C23F1/24 【发明人】张学玲 【主权项内容】一种太阳能电池用多晶硅片的后清洗工艺，其特征是：具有如下步骤：a.将多晶硅片经硅片制绒、扩散，得到25～80ohm/Sq的均匀扩散区；b.再用酸溶液进行腐蚀，酸溶液中：HF体积浓度占1.6％～4.5％，HNO3体积浓度占20％～30％，CH3COOH体积浓度占33％～39％，其余为H2O，将腐蚀时间控制在20～180秒，温度为15～25℃，刻蚀速率为0.002～0.02um/s，经酸溶液腐蚀后，硅片表面反射率没有提高。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7
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