【摘要】 本发明涉及硅太阳能电池的技术领域，尤其是一种双次扩散选择性发射结硅太阳能电池的扩散工艺：将清洗好的硅片放入炉中，温度升温，向炉内通入氧气、氮气和三氯氧磷，进行扩散；停止通入三氯氧磷，继续通入氧气和氮气，将温度升温后，再进行分布。本发明使通常在低表面浓度的情况下，方阻不均匀的情况，得到了很大的改善，解决了低浓度掺杂扩散工艺中，既要保证硅片表面低的浓度，又要保证良好的方阻均匀性的问题，轻掺杂扩散工艺表面浓度要求在1E20-5E20Atom/cm2，结深在0.2-0.35μm，采用通常的扩散工艺，其方阻均匀性在15％左右，而通过本发明的技术方案，其方阻均匀性在8％以内，通过太阳能电池片的验证，其电性能良率从95％提升至99.5％。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010294742.1 【申请日】2010-09-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102097523A 【公开公告日】2011-06-15 【公开公告年份】2011 【发明人】王庆钱; 张映斌; 徐华浦 【主权项内容】一种双次扩散选择性发射结硅太阳能电池的扩散工艺，其工艺步骤为：(一)、将清洗好的硅片放入炉中，温度升温，向炉内通入氧气、氮气和三氯氧磷，进行扩散；(二)、停止通入三氯氧磷，继续通入氧气和氮气，将温度升温后，再进行分布。 【当前权利人】常州天合光能有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【被引证次数】12 【被他引次数】12.0 【家族被引证次数】12

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