【摘要】本实用新型公开了一种单柱塞式压力继电器,壳体中设有柱塞腔和与柱塞腔一端腔口连通的空腔,壳体上还设有与柱塞腔另一端腔口连通的进油口,柱塞腔中设有柱塞,该柱塞的一端与安装在空腔内的顶动装置连接或紧靠,柱塞另一端为自由端,所述空腔内还固定
【摘要】 本发明涉及一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法,包括如下步骤:硅片在进入清洗槽前,对其表面喷射去离子水,再将表面有去离子水的硅片从两个滚轮中间的间隙通过,最后用刮片刮去即将浸入药液的那部分硅片表面的去离子水。采用本发明的方法,在清洗硅片时能更好保护硅片表面不被腐蚀,防止药液稀释,减少了药液用量。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010620038.0 【申请日】2010-12-31 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102108556A 【公开公告日】2011-06-29 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102108556B 【授权公告日】2013-04-24 【授权公告年份】2013.0 【发明人】杨延德; 叶权华; 杨文侃 【主权项内容】一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法,其特征在于:包括如下步骤:第一步、硅片在进入清洗槽前,对其表面喷射去离子水,用量为10ml~15ml;第二步、将表面有去离子水的硅片从两个滚轮中间的间隙通过,硅片表面的载液量为6~8g;第三步、用刮片刮去即将浸入药液的那部分硅片表面的去离子水。 【当前权利人】盐城天合光能科技有限公司 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L
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