【摘要】 本实用新型涉及一种低能耗单晶热场，包括炉体，所述的炉体内壁之上而下依次设置有顶保温层、上保温筒、主保温筒、排气口、底保温层和炉底保温层，所述的炉体内腔中心设置有支撑轴，支撑轴上具有坩埚托盘，所述的坩埚托盘上依次托有支撑坩埚和石英坩埚，所述的石英坩埚内盛放有将单晶硅体融化的熔融硅，所述的上保温筒内具有上保温层，所述的主保温筒内设置有主保温层，所述的主保温筒与支撑坩埚之间设置有加热器，所述的顶保温层连接有热屏隔热层，所述的热屏隔热层的下端宽度大于上端宽度且下端为圆弧平滑过渡。采用本实用新型不仅提高单晶硅棒的拉晶速度20％，而且降低能耗20％以上。 【专利类型】实用新型 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201020545080.6 【申请日】2010-09-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201793813U 【公开公告日】2011-04-13 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201793813U 【授权公告日】2011-04-13 【授权公告年份】2011.0 【发明人】张志强; 黄振飞; 黄强 【主权项内容】一种低能耗单晶热场，包括炉体(1)，其特征在于：所述的炉体(1)内壁之上而下依次设置有顶保温层(2)、上保温筒(5)、主保温筒(8)、排气口(10)、底保温层(11)和炉底保温层(12)，所述的炉体(1)内腔中心设置有支撑轴(13)，支撑轴(13)上具有坩埚托盘(9)，所述的坩埚托盘(9)上依次托有支撑坩埚(16)和石英坩埚(15)，所述的石英坩埚(15)内盛放有将单晶硅体融化的熔融硅(17)，所述的上保温筒(5)内具有上保温层(3)，所述的主保温筒(5)内设置有主保温层(7)，所述的主保温筒(8)与支撑坩埚(16)之间设置有加热器(6)，所述的顶保温层(2)连接有热屏隔热层(4)，所述的热屏隔热层(4)的下端宽度大于上端宽度且下端为圆弧平滑过渡。 【当前权利人】常州天合光能有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】7

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