【摘要】 本发明涉及一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，首先对硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；然后利用HF、HNO3与水或醋酸按体积比HF∶HNO3∶水或醋酸＝1∶50∶100的混合溶液进行第一次去损伤清洗；之后再次进行去离子水清洗；然后采用HN4OH、H2O2与H2O按体积比HN4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5的混合溶液在60℃～75℃进行二次清洗刻蚀，二次清洗时间控制在5～15分钟的范围；完成后用0.5％浓度的HF溶液进行沾洗；最后用去离子水进行清洗。本发明适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程，更好地保证刻蚀过程不对硅片表面精细的绒面结构产生影响。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010298887.9 【申请日】2010-10-08 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102097526A 【公开公告日】2011-06-15 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102097526B 【授权公告日】2012-08-29 【授权公告年份】2012.0 【发明人】盛健 【主权项内容】一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，其特征在于：首先对反应离子刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；然后利用HF、HNO3与缓冲腐蚀剂按体积比HF∶HNO3∶缓冲腐蚀剂＝1∶50∶100的混合溶液进行第一次去损伤清洗；之后再次进行去离子水清洗；然后采用HN4OH、H2O2与H2O按体积比HN4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5的混合溶液在60℃～75℃进行二次清洗刻蚀，二次清洗时间控制在5～15分钟的范围；完成后用0.5％浓度的HF溶液进行沾洗；最后用去离子水进行清洗。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【被引证次数】15 【被自引次数】3.0 【被他引次数】12.0 【家族被引证次数】15

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