【摘要】 本发明涉及一种实现太阳能电池选择性发射极的方法。用于形成具有选择性发射极的太阳能电池，具有如下步骤：a、在太阳能电池片上采用重扩散；b、在电池非栅线区域采用丝网印刷的方式印刷一层可腐蚀硅的腐蚀浆料层，腐蚀浆料层的主要成分为KOH；c、将太阳能电池片放入温度为200～300℃的反应炉反应10～60秒，电池非栅线区域被腐蚀形成低掺杂浅扩散区，电池栅线区域未被腐蚀保留成高掺杂深扩散区，太阳能电池片形成选择性发射极。本发明操作流程简单，生产成本低，而且太阳能电池能够形成选择性发射极，提高太阳能电池的光电转换效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010129507.9 【申请日】2010-03-15 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101794844B 【公开公告日】2011-08-17 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101794844B 【授权公告日】2011-08-17 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】张军 【主权项内容】一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，用于形成具有选择性发射极的太阳能电池，所述的太阳能电池具有太阳能电池片，太阳能电池片表面分为电池栅线区域和电池非栅线区域，具有如下步骤：a、在太阳能电池片上采用重扩散的方法使太阳能电池片表面形成高掺杂深扩散区；其特征在于：还具有如下步骤：b、在电池非栅线区域采用丝网印刷的方式印刷一层可腐蚀硅的腐蚀浆料层，腐蚀浆料层的主要成分为KOH；c、将太阳能电池片放入温度为200～300℃的反应炉反应10～60秒，电池非栅线区域被腐蚀形成低掺杂浅扩散区，电池栅线区域未被腐蚀保留成高掺杂深扩散区，太阳能电池片形成选择性发射极。。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】15

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