【摘要】一种半导体元件减少钨损失阻挡层的制造方法, 所述制造方法至少包括 : 提供具有一介电层的一元件, 至少包括 一高高宽比接触窗开口; 以化学气相沉积法沉积一氮化钛共形 膜; 以物理气相沉积法沉积一氮化钛膜; 以及以化学气相沉积法 沉积
【摘要】 请求保护色彩。 【专利类型】外观设计 【申请人】李朝文 【申请人类型】个人 【申请人地址】102202北京市昌平南口镇西大桥南烧鸡厂 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】昌平区 【申请号】CN98301470.1 【申请日】1998-05-11 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3099737D 【公开公告日】1999-01-20 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3099737D 【授权公告日】1999-01-20 【授权公告年份】1999.0 【发明人】李朝文 【主权项内容】无 【当前权利人】李朝文 【当前专利权人地址】北京市昌平南口镇西大桥南烧鸡厂
未经允许不得转载:http://www.zhongzhencnc.com/1780252065.html






