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半导体元件避免钨插塞损失阻挡层的制造方法专利

时间:2026-05-31    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 一种半导体元件减少钨损失阻挡层的制造方法, 所述制造方法至少包括 : 提供具有一介电层的一元件, 至少包括 一高高宽比接触窗开口; 以化学气相沉积法沉积一氮化钛共形 膜; 以物理气相沉积法沉积一氮化钛膜; 以及以化学气相沉积法 沉积一金属钨, 至少填入所述高高宽比接触窗开口。 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98115641.X 【申请日】1998-07-03 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1233846A 【公开公告日】1999-11-03 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1125481C 【授权公告日】2003-10-22 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/283; H01L21/30; H01L21/768; H01L21/70 【发明人】何文郁; 李森楠; 谢松均; 陈慧伦 【主权项内容】1.一种半导体元件减少钨损失阻挡层的制造方法,所述制造方法至少 包括: 提供具有一介电层的一元件,至少包括一高高宽比接触窗开口; 以化学气相沉积法沉积一氮化钛共形膜; 以物理气相沉积法沉积一氮化钛膜;以及 以化学气相沉积法沉积一金属钨,至少填入所述高高宽比接触窗开口。。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【被引证次数】3.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】24.0 【家族被引证次数】15.0

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