【摘要】本实用新型涉及一种自行车避震器弹性元件，其 本体呈圆柱形，中央有一孔，其特征在于：弹性元件外侧设置 有至少一个以上的凹槽，以使弹性元件具有较大的弹性系数和 沿纵轴方向伸缩变形的能力。且凹槽具有若干不同的宽度及深 度的变化，使得弹性元
【摘要】 一种在半导体元件表面上形成一平坦的层间介 电层的制造方法，包括先形成衬底氧化层，在衬底氧化层表面 上形成一硼磷硅玻璃层，接着，对硼磷硅玻璃层进行平坦化制 造工艺，然后在硼磷硅玻璃层表面上形成上覆氧化层，最后在 上覆氧化层表面上形成氮化硅层。 该数据由<>整理 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98116851.5 【申请日】1998-08-04 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1239318A 【公开公告日】1999-12-22 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1106033C 【授权公告日】2003-04-16 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/31; H01L21/3105; H01L21/316; H01L21/318; H01L21/768 【发明人】罗吉进; 李弘名 【主权项内容】1.？？一种层间介电层平坦化的制造方法，该平坦的介电层形成一基底上， 该方法包括： 形成一衬底氧化层在该基底之上； 形成一硼磷硅玻璃在该衬底氧化层之上； 对该硼磷硅玻璃进行平坦化制造工艺； 形成一上覆氧化硅层于该硼磷硅玻璃之上；以及 形成一氮化硅阻挡层在该上覆氧化硅层之上。 （，） 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【被引证次数】6.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】56.0
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