【摘要】 本发明涉及隐性重离子核径迹防伪标识的制造 方法及其产品。本方法包括 : 1).用具有一定能量和质量的重离 子对透明的高分子聚合膜进行电离辐照; 2).用紫外光透过防伪 标识模板对高分子聚合膜进行氧化照射; 3).用化学蚀刻液对经 氧化照射的高分子聚合膜进行化学蚀刻; 4).中和、清洗和干燥 经化学蚀刻后的高分子聚合膜, 得到所要的防伪标识。由于本发 明产品的隐性特性, 使得本发明产品无法用机械或化学方法来 伪冒。从而可以更好表明所保护的物品的真实性, 更好地维护著 名商标和著名企业的声誉。 【专利类型】发明申请 【申请人】朱天成; 陈大年; 刘宣玮; 胡兵 【申请人类型】个人 【申请人地址】102413北京市288信箱房山区新镇泳池路16楼202号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】房山区 【申请号】CN98101032.6 【申请日】1998-03-18 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1229225A 【公开公告日】1999-09-22 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】G09F3/00 【发明人】朱天成; 陈大年; 刘宣玮; 胡兵 【主权项内容】1.一种隐性防伪标识的二次曝光制造方法，由以下几个步骤所组成： 1).用具有一定能量和一定质量的重离子对透明的高分子聚合物膜进行 电离辐照； 其特征在于： 2).用紫外光透过一个防伪标识模板对电离辐照后的高分子聚合膜进行 氧化照射； 3).用化学蚀刻液对氧化照射后的高分子聚合膜进行化学蚀刻； 4).中和、清洗和干燥经化学蚀刻后的高分子聚合膜，得到所要的防伪 标识。 【当前权利人】朱天成; 陈大年; 刘宣玮; 胡兵 【当前专利权人地址】北京市288信箱房山区新镇泳池路16楼202号; ; ; 【被引证次数】5.0 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】5.0

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