【摘要】一种利用多晶硅半球的晶粒扩展表面面积以形 成电容器电极板的方法, 此多晶硅半球的晶粒形成在第一电容 器电极板的顶表面与侧壁; 一垂直各向异性蚀刻步骤形成一第 一电容器电极板的不规则的顶表面, 并且一回火步骤提供在多 晶硅半球的晶粒与
【摘要】 1.后视图无图案, 省略后视图。 2.请求保护色彩。 【专利类型】外观设计 【申请人】王兴飞 【申请人类型】个人 【申请人地址】100076北京市大兴县红星区旧宫镇大有庄北京兴港建筑材料有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN98302807.9 【申请日】1998-05-29 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3104088D 【公开公告日】1999-02-24 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3104088D 【授权公告日】1999-02-24 【授权公告年份】1999.0 【发明人】王兴飞 【主权项内容】无 【当前权利人】王兴飞 【当前专利权人地址】北京市大兴县红星区旧宫镇大有庄北京兴港建筑材料有限公司
未经允许不得转载:http://www.zhongzhencnc.com/1780222045.html






