【摘要】 一种利用多晶硅半球的晶粒扩展表面面积以形 成电容器电极板的方法, 此多晶硅半球的晶粒形成在第一电容 器电极板的顶表面与侧壁; 一垂直各向异性蚀刻步骤形成一第 一电容器电极板的不规则的顶表面, 并且一回火步骤提供在多 晶硅半球的晶粒与第一电容器电极板的侧壁之间的良好附着 力; 一在第一电容器电极板之间介电层的固定时间回蚀刻步骤, 确保在邻接第一电容器电极板之间良好的电子绝缘。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98105624.5 【申请日】1998-03-19 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1230017A 【公开公告日】1999-09-29 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1128471C 【授权公告日】2003-11-19 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/70; H01L21/82; H01L21/28 【发明人】程蒙召 【主权项内容】1.一种形成电容器的方法，所述方法包括下列步骤： 提供一基底； 在所述基底上形成一第一介电层； 在所述第一介电层上形成接触窗； 在所述第一介电层之上形成一第一导电材料层，并填满所述第一介电层 上的所述接触窗； 图案转移所述第一导电材料层，以形成若干个第一电容器电极板，每一 个所述第一电容器电极板有侧壁及一顶表面，并且所述第一电容器电极板之 间的第一介电层的空间部分是暴露着的； 在每一个所述第一电容器电极板的所述侧壁及一顶表面、及第一电容器 电极板之间的第一介电层的空间部分上形成一层多晶硅半球的晶粒； 形成所述层多晶硅半球的晶粒之后回火所述基底； 回火所述基底之后，用各向异性蚀刻所述层多晶硅半球的晶粒，蚀刻步 骤移除在所述第一电容器电极板之间的多晶硅半球的晶粒部分，形成一位于 所述第一电容器电极板的不规则的顶表面； 用所述第一电容器电极板作为光罩，各向异性蚀刻在所述第一电容器电 极板之间的第一介电层的空间部分； 当各向异性蚀刻在所述第一电容器电极板之间的第一介电层的空间部 分之后，清洗所述基底； 在每一个所述第一电容器电极板的所述不规则的顶表面与所述侧壁上 形成一第二介电层；以及 在所述第一电容器电极板的所述不规则的顶表面与所述侧壁之上的所 述第二介电层上形成一第二电容器电极板。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 【引证次数】7.0 【被引证次数】1.0 【他引次数】7.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】1.0

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1780206959.html