【摘要】 在有源矩阵型液晶显示器中的薄膜晶体管的源极和漏极之间的间隙中形成半导体膜。通过栅绝缘膜在所述半导体膜上形成用于栅极的金属膜。在金属膜上形成光致抗蚀剂膜，光致抗蚀剂膜具有在包括间隙的区域中的厚部分和在接触孔形成区中的开口部分。通过使用有机材料膜作为掩模在栅绝缘膜中形成接触孔。在包括间隙的区域中残留有机材料膜。通过使用残留的有机材料膜作为掩模，通过刻蚀第一金属膜在包括间隙的区域上形成栅极。在除了接触孔形成区之外的反射区中形成具有凸起和凹陷的有机材料膜。在具有凸起和凹陷的有机材料膜上形成反射电极。 【专利类型】发明申请 【申请人】统宝香港控股有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】香港沙田香港科学园区科技大道东5号飞利浦大厦二楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】香港特别行政区 【申请号】CN200480015385.3 【申请日】2004-06-03 【申请年份】2004 【公开公告号】CN100419560C 【公开公告日】2008-09-17 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN100419560C 【授权公告日】2008-09-17 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】G02F1/1368; G02F1/1362 【发明人】田中秀夫 【主权项内容】1.？一种用于制造液晶显示器的方法，包括步骤： 在有源矩阵型液晶显示器中的薄膜晶体管的源极和漏极之间的间隙 中形成半导体膜，并通过栅绝缘膜在半导体膜上形成用于栅极的第一金 属膜； 在第一金属膜上形成第一有机材料膜，该第一有机材料膜具有在包 括间隙的区域中的厚部分和在接触孔形成区中的开口部分，该开口部分 是在形成第一金属膜之后形成的； 通过使用第一有机材料膜作为掩模在栅绝缘膜中形成接触孔，同时 在包括间隙的区域中残留第一有机材料膜； 通过使用残留的第一有机材料膜作为掩模，通过刻蚀第一金属膜在 包括间隙的区域上形成栅极；和 在除了接触孔形成区之外的反射区中形成具有凸起和凹陷的第二有 机材料膜，并在具有凸起和凹陷的第二有机材料膜上形成反射电极。 【当前权利人】统宝香港控股有限公司 【当前专利权人地址】中国香港沙田香港科学园区科技大道东5号飞利浦大厦二楼 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】17.0 【家族被引证次数】5.0

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