【摘要】低成本生长高品质纳米金刚石膜的方法，属于超硬材料生长领域。本发明以氢气、氩气、含碳气体为前驱气体，利用热阴极直流辉光放电激励形成等离子体，通过控制供气比例，实现金刚石膜形核和生长交替进行，并控制金刚石晶粒颗粒在纳米范围内，沉积出高品
【摘要】 本发明提供一种可降低制造成本并改进覆盖效果的半导体器件及形成图形方法。形成ITO薄膜50及MoCr薄膜100后，对ITO薄膜50及MoCr薄膜100进行干法刻蚀。 【专利类型】发明申请 【申请人】统宝香港控股有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】香港沙田香港科学园区科技大道东5号飞利浦大厦二楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】香港特别行政区 【申请号】CN01802148.4 【申请日】2001-05-08 【申请年份】2001 【公开公告号】CN100429754C 【公开公告日】2008-10-29 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN100429754C 【授权公告日】2008-10-29 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/302; H01L21/306; H01L21/3065; H01L29/417; H01L29/786 【发明人】Y·哈塔 【主权项内容】1.一种形成图形方法，其特征在于：所述方法包含在基板上形 成第一种金属薄膜的步骤、在该第一种金属薄膜上形成第二种金属薄 膜的步骤、通过在该第二及第一金属薄膜上形成图形的方式形成源极、 漏极、源总线、像素电极的图形的步骤； 以及进一步的特征在于：所述形成源极、漏极、源总线、像素电 极的图形的步骤，包括在该第二种金属薄膜上形成保护层的步骤，在 形成该保护层之后，对所述第二种及第一种金属薄膜进行干法刻蚀的 第一刻蚀步骤，在该第二种金属薄膜上形成具有接触孔的栅极绝缘薄 膜的步骤，以及经由该接触孔对该第二种金属薄膜进行蚀刻，露 出部分的该像素电极的步骤。 【当前权利人】统宝香港控股有限公司 【当前专利权人地址】中国香港沙田香港科学园区科技大道东5号飞利浦大厦二楼 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】19.0 【家族被引证次数】39.0
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