【摘要】 在蚀刻步骤中, 形成多个不同深度接触窗的方 法。该半导体晶片包含一介电层, 其下包含有一硅衬底、一氮化 硅层以及一氮氧化硅层, 此方法包含下列步骤 : 首先限定一光刻 胶层在介电层上, 此氮氧化硅层下方具有一第一导电层, 此氮化 硅层下方具有一第二导电层。接着蚀刻此氮氧化硅层、氮化硅 层以及位于此氮氧化硅层及此氮化硅层上的部分介电层, 以在 硅衬底、第一导电层以及第二导电层上形成多个不同深度的接 触窗。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98108306.4 【申请日】1998-05-12 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1235369A 【公开公告日】1999-11-17 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN100377316C 【授权公告日】2008-03-26 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】H01L21/3065; H01L21/82; H01L21/02; H01L21/70 【发明人】刘豪杰; 郑湘原; 陈碧琳; 连万益 【主权项内容】1.一种形成多个不同深度接触窗的方法，该方法是在一蚀刻步骤中，于 一半导体晶片上进行的，该半导体晶片至少包含一介电层，该介电层下包含 有一硅底材、一氮化硅层以及一氮氧化硅层，所述方法至少包含： 在所述介电层上，限定一光刻胶层，该氮氧化硅层下方具有一第一导电 层，该氮化硅层下方具有一第二导电层； 蚀刻该氮氧化硅层、该氮化硅层以及位于该氮氧化硅层及该氮化硅层上 的部分介电层，通过使用一蚀刻剂进行该蚀刻步骤，以暴露出该硅衬底、该 第一导电层以及该第二导电层，该蚀刻剂至少包含一第一化学药剂以及一第 二化学药剂，该第一化学药剂至少包含C2F6、C4F8、CH3F以及Ar，该第 二化学药剂可以由下列中选出，O2、CO2、CO及其组合，由此，在该硅衬 底、该第一导电层以及该第二导电层上形成多个不同深度的接触窗。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】4.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】6.0

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