【摘要】 一种砷化镓晶体生长用热场装置，包括坩埚加热器和保温装置，在加热器的外围设置保温装置，在坩埚口部上方装有观测棒，所述的加热器包括底部加热器、下加热器、上加热器和顶加热器，所述的底部加热器为盘状，装于坩埚底部；所述的下加热器和上部加热器均为圆筒状，分别装于坩埚下部和上部的周围；所述的后加热器为直径小于所述的坩埚的筒状，装于坩埚的顶部上方。其优点是：能够提供相对稳定的生长砷化镓晶体所需要的温度场，具有适当的温度梯度，特别设置的顶加热器装置可以对生长出的砷化镓单晶直接进行高温退火。结构简单，方便宜行，操作容易。能够很容易的快速生长出大直径(100mm～150mm)、低位错密度的砷化镓单晶。 【专利类型】实用新型 【申请人】大庆佳昌科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】163316黑龙江省大庆市高新区创业中心A座322室 【申请人地区】中国 【申请人城市】大庆市 【申请号】CN200820004406.7 【申请日】2008-01-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN201158722Y 【公开公告日】2008-12-03 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN201158722Y 【授权公告日】2008-12-03 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】C30B15/14; C30B29/42; C30B29/10 【发明人】孙士臻; 贾宝申; 张洪宝 【主权项内容】1、一种砷化镓晶体生长用热场装置，包括坩埚(12)加热器和保温装置，在 加热器的外围设置保温装置，在坩埚(12)口部上方装有观测棒(15)，其特 征在于： 所述的加热器包括底部加热器(1)、下加热器(2)、上加热器(3)和顶加热 器(4)，所述的底部加热器(1)为盘状，装于坩埚底部；所述的下加热器(2)和 上部加热器(3)均为圆筒状，分别装于坩埚下部和上部的周围；所述的后加热器 (4)为直径小于所述的坩埚的筒状，装于坩埚的顶部上方；在所述的底部加热器 (1)、下加热器(2)、上加热器(3)和顶加热器(4)旁分别装有温度传感器。 【当前权利人】大庆佳昌晶能信息材料有限公司 【当前专利权人地址】黑龙江省大庆市高新区新发街1-2号301室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】912306077418336594 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】5

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