【摘要】 一种低压微波辐射碳纳米管羟基改性的方法，它涉及一种碳纳米管羟基改性的方法。它解决了现有技术对碳纳米管进行改性存在工艺复杂、反应时间长、能耗大及成本高的问题。改性方法：一、将碳纳米管浸没于碱溶液中，在微波、低压条件下加热，经冷却、沉淀后去除上层碱溶液，得沉淀物；二、沉淀物经清洗、烘干即得羟基改性的碳纳米管。本发明大大缩短了反应时间、工艺简单、耗能低、成本低。 【专利类型】发明申请 【申请人】哈尔滨工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 【申请人地区】中国 【申请人城市】哈尔滨市 【申请人区县】南岗区 【申请号】CN200810064757.1 【申请日】2008-06-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101298325A 【公开公告日】2008-11-05 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN101298325B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B31/02; C01B31/00 【发明人】王鹏; 史书杰; 曹海雷 【主权项内容】1、一种低压微波辐射碳纳米管羟基改性的方法，其特征在于低压微波辐 射碳纳米管羟基改性方法按以下步骤实现：一、将0.5～2g碳纳米管浸没于 50mL的碱溶液中，然后在微波功率为700W、压力为0.2～0.5MPa的条件下 反应1～10min，取出冷却至室温，加入蒸馏水静置沉淀；二、将沉淀物用聚 四氟乙烯薄膜、清洗至滴下滤液的pH为6～7，然后在80～105℃的条件下干 燥，即得羟基改性的碳纳米管；其中步骤一中碱溶液浓度为1.5～15mol/L。 【当前权利人】哈尔滨工业大学 【当前专利权人地址】黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 【统一社会信用代码】12100000400000456B 【引证次数】2.0 【被引证次数】7 【他引次数】2.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】7

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