【摘要】 一种采用激光在热沉背部加热的LED芯片与热沉键合方法，本发明涉及一种LED芯片与热沉键合的方法。它解决了激光束直接照射到钎料层上，钎料在短时间内急剧升温而产生的氧化甚至气化，以及不能保证LED芯片与热沉可靠键合的问题。具体步骤为：首先分别在LED芯片的背面及热沉的焊盘上镀金Au；然后在所述镀金Au焊盘上镀或印刷上钎料层；将LED芯片贴装在镀金Au焊盘的钎料层上；用激光束对准热沉上的LED芯片位置背面加热，直到钎料熔化为止。本发明的优点在于激光束对芯片位置背面的热沉进行加热，避免了钎料的氧化和气化；多个芯片可预先贴放在待键合位置，然后进行键合。本发明可应用于LED芯片封装领域。 【专利类型】发明申请 【申请人】哈尔滨工业大学; 华之光电子(深圳)有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 【申请人地区】中国 【申请人城市】哈尔滨市 【申请人区县】南岗区 【申请号】CN200810064911.5 【申请日】2008-07-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101304064A 【公开公告日】2008-11-12 【公开公告年份】2008 【IPC分类号】H01L33/00; H01L21/50; B23K1/005; B23K1/20 【发明人】王春青; 田艳红; 孔令超; 杨罡 【主权项内容】1、采用激光在热沉背部加热的LED芯片与热沉键合方法，其特征在于它 的步骤为： 步骤一、分别在LED芯片(3-1)的背面及热沉(3-2)的焊盘上镀金Au； 步骤二、在所述镀金Au焊盘上镀或印刷上钎料层(3-3)； 步骤三、将LED芯片(3-1)贴在镀金Au焊盘的钎料层(3-3)上； 步骤四、用激光束(3-4)对准热沉(3-2)上镀金Au焊盘位置背面加热，直 到钎料层(3-3)熔化为止。 【当前权利人】哈尔滨工业大学; 华之光电子(深圳)有限公司 【当前专利权人地址】黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号; 广东省深圳市宝安区西乡镇银田西发C区科技楼八楼 【专利权人类型】; 港、澳、台 【统一社会信用代码】12100000400000456B; 91440300772727410L 【引证次数】2.0 【被引证次数】10 【自引次数】2.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】10

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