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喷墨印头晶片及其制造方法专利

时间:2026-05-29    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 一种喷墨印头晶片的制造方法,用以在一基板上 形成该喷墨印头晶片,该基板上方具有构图的一热阻层及一导 电层,该方法包括以下步骤:在该导电层与该热阻层上方形成 一绝缘层;在该绝缘层上方形成一金属层,并对该金属层及该 绝缘层构图,用以限定一接触窗,该接触窗挖穿该金属层与该 绝缘层到达该导电层上方;在该接触窗之中形成一金属插销; 以及形成该喷墨印头晶片。本发明还涉及一种喷墨印头晶片。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】台湾省新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98109867.3 【申请日】1998-06-08 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1238265A 【公开公告日】1999-12-15 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1118375C 【授权公告日】2003-08-20 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】B41J2/16; B41J2/14; G01D15/16; H01L49/00 【发明人】王介文; 李明玲; 蓝元亮; 吴义勇; 王惠芳 【主权项内容】1.一种喷墨印头晶片的制造方法,用以在一基板上形成该喷墨印头晶 片,该基板上方具有构图的一热阻层及一导电层,该方法包括以下步骤: 在该导电层与该热阻层上方形成一绝缘层; 在该绝缘层上方形成一金属层,并对该金属层及该绝缘层构图,用以限 定一接触窗,该接触窗挖穿该金属层与该绝缘层到达该导电层上方; 在该接触窗之中形成一金属插销;以及 形成该喷墨印头晶片。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】台湾省新竹县 【引证次数】1.0 【被引证次数】7.0 【他引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】8.0

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