【摘要】一种快闪存储单元的制造方法包括步骤:提供已 设有至少一多层栅极结构的半导体基底,栅极结构包括第一导 电层、介电层、第二导电层与氮化硅层;在栅极结构周围形成 一第一间隙壁;在栅极结构与基底上形成多晶硅层;在多晶硅 层的侧边周围形成第二
【摘要】 本实用新型涉及一种防热罩,其由罩面组成,其 罩面由金属面和非金属面组成,两面之间设有支撑装置,罩面 上设有自吸装置,本实用新型使用方便、简单,使用效果好, 可广泛用于汽车等的防热上。 【专利类型】实用新型 【申请人】张晋华 【申请人类型】个人 【申请人地址】264417山东省文登市汪疃镇驻地32号 【申请人地区】中国 【申请人城市】威海市 【申请人区县】文登区 【申请号】CN98221494.4 【申请日】1998-06-11 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2353588Y 【公开公告日】1999-12-15 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2353588Y 【授权公告日】1999-12-15 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】B60J1/20 【发明人】张晋华 【主权项内容】1、一种防热罩,其由罩面组成,其特征是罩面由金属面和非金属面组成 ,两面之间设有支撑装置,罩面上设有自吸装置。 【当前权利人】张晋华 【当前专利权人地址】山东省文登市汪疃镇驻地32号
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