【专利类型】外观设计【申请人】安徽种子酒总厂【申请人类型】企业【申请人地址】236018安徽省阜阳市河滨路302号【申请人地区】中国【申请人城市】阜阳市【申请人区县】颍州区【申请号】CN98327188.7【申请日】1998-10-06【申
【摘要】 一种快闪存储单元的制造方法包括步骤：提供已 设有至少一多层栅极结构的半导体基底，栅极结构包括第一导 电层、介电层、第二导电层与氮化硅层；在栅极结构周围形成 一第一间隙壁；在栅极结构与基底上形成多晶硅层；在多晶硅 层的侧边周围形成第二间隙壁；以第二间隙壁为掩模进行离子 注入，在基底中形成漏极区；去除第二间隙壁；限定掩模，进 行离子注入，在基底中形成源极区；以及在基底与栅极结构上 形成第三导电层。。 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98115229.5 【申请日】1998-06-24 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1239827A 【公开公告日】1999-12-29 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1099705C 【授权公告日】2003-01-22 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/82; H01L21/8246; H01L21/8247; H01L21/70 【发明人】王琳松; 张格荥 【主权项内容】1.一种具有分离栅极的快闪存储单元的制造方法，包括以下步骤： 提供一半导体基底，该半导体基底上已设有至少一多层栅极结构，其中 该多层栅极结构包括一第一导电层、一介电层、一第二导电层与一氮化硅 层； 在该多层栅极结构周围形成一第一间隙壁； 在该多层栅极结构与该半导体基底上形成一多晶硅层； 在该多晶硅层的侧边周围形成一第二间隙壁； 以该第二间隙壁作为一掩模，进行离子注入，在该半导体基底中形成一 漏极区； 去除该第二间隙壁； 限定掩模，进行离子注入，在该半导体基底中形成一源极区；以及 在该半导体基底与该多层栅极结构上形成一第三导电层。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】5.0 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】5.0
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