【摘要】一种具有分离栅极与源极注射的快闪存储器及 其制造方法,使用相同的多晶硅层来形成浮置栅与控制栅,在 浮置栅下方具有一穿隧氧化层,控制栅下方具有一栅氧化层, 且穿隧氧化层厚度较栅氧化层厚度薄。由于浮置栅与控制栅是 以同一多晶硅层所限定,
【专利类型】外观设计 【申请人】山东青援食品集团有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】276400山东省沂水县沂博路39号 【申请人地区】中国 【申请人城市】临沂市 【申请人区县】沂水县 【申请号】CN98311166.9 【申请日】1998-09-18 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3113817D 【公开公告日】1999-06-23 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3113817D 【授权公告日】1999-06-23 【授权公告年份】1999.0 【发明人】徐传亮; 杨洪军; 桑振亮; 王文亮 【主权项内容】无 【当前权利人】山东青援食品集团有限公司 【当前专利权人地址】山东省沂水县沂博路39号
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