【摘要】 一种具有分离栅极与源极注射的快闪存储器及 其制造方法，使用相同的多晶硅层来形成浮置栅与控制栅，在 浮置栅下方具有一穿隧氧化层，控制栅下方具有一栅氧化层， 且穿隧氧化层厚度较栅氧化层厚度薄。由于浮置栅与控制栅是 以同一多晶硅层所限定，所以使得本发明中多晶硅层所产生的 间隙壁，容易控制控制栅与浮置栅间的沟隙宽度，提供一具有 可靠性与可重复制造的单元阵列。 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98115224.4 【申请日】1998-06-24 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1239824A 【公开公告日】1999-12-29 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1110085C 【授权公告日】2003-05-28 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/82; H01L21/8234; H01L27/115; H01L27/105; H01L21/70 【发明人】陈志民 【主权项内容】1.一种具有分离栅极与源极注射的快闪存储器的制造方法，包括： 提供一硅基底； 形成一栅氧化层； 形成一分离栅极光罩，将部分栅氧化层去除，再去除该分离栅极光罩； 形成一穿隧氧化层； 沉积一第一多晶硅层； 去除部分该第一多晶硅层，以形成一控制栅与一浮置栅； 沉积一第二多晶硅层； 去除该第二多晶硅层，以在该控制栅与浮置栅两侧各形成一间隙壁，并 在该浮置栅与控制栅之间形成一沟隙； 于所述穿隧氧化层下方形成一源极区；以及 于所述栅氧化层下方形成一漏极区； 其中，所述分离栅极光罩位于所述控制栅上方。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【引证次数】1.0 【被引证次数】5.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】5.0

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