【摘要】一种高耦合率永久性存储器及其制造方法,其在 场氧化层与隧穿氧化层的半导体基底上依序形成第一多晶硅 层与第一介电层。第一多晶硅层的硅作为浮置栅,第二多晶硅 层于该第一介电层上,并回蚀以在该第一介电层与该浮置栅侧 壁有间隙壁。后去除第一
【摘要】 请求保护色彩。 【专利类型】外观设计 【申请人】上海斯米克建筑陶瓷有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201112上海市闵行区杜行镇谈家港 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN98332365.8 【申请日】1998-09-21 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3111444D 【公开公告日】1999-05-26 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3111444D 【授权公告日】1999-05-26 【授权公告年份】1999.0 【发明人】李慈雄 【主权项内容】无 【当前权利人】上海斯米克建筑陶瓷有限公司 【当前专利权人地址】上海市闵行区杜行镇谈家港 【专利权人类型】外商投资企业 【统一社会信用代码】9131011259043190XE
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