【摘要】本实用新型涉及一种蹲式便器, 它包括便盒, 其 前、后设有进水口、排污口, 在便盒上端敞口处设有一盖板, 盖 板盖下后, 整个便器可保持与地坪平齐, 方便人们走动、站立, 同 时避免了异味外逸, 本实用新型具有结构简单、安全、卫生的
【摘要】 一种高耦合率永久性存储器及其制造方法，其在 场氧化层与隧穿氧化层的半导体基底上依序形成第一多晶硅 层与第一介电层。第一多晶硅层的硅作为浮置栅，第二多晶硅 层于该第一介电层上，并回蚀以在该第一介电层与该浮置栅侧 壁有间隙壁。后去除第一介电层并形成具氧化硅/氮化硅/氧化 硅的第二介电层于浮置栅与间隙壁周围，再制出第三多晶硅层 于第二介电层上限定控置栅后注入离子形成源/漏极区。 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98115216.3 【申请日】1998-06-24 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1239833A 【公开公告日】1999-12-29 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1136617C 【授权公告日】2004-01-28 【授权公告年份】2004.0 【IPC分类号】H01L27/115; H01L27/105; H01L21/82; H01L21/8239; H01L21/70 【发明人】张格荥; 王琳松 【主权项内容】1.一种具有高耦合率的永久性存储器，形成于已设有至少一场氧化层的 半导体基底上，其特征在于，它包括： 一隧穿氧化层，形成于所述半导体基底上； 一浮置栅，形成于所述隧穿氧化层上； 一间隙壁，形成于所述浮置栅侧壁； 一介电层，覆盖于所述浮置栅与所述间隙壁上； 一控制栅，形成于所述介电层上； 多个源/漏极区，形成于所述半导体基底中。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2.0
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