【摘要】一种高耦合率永久性存储器及其制造方法,其在 场氧化层与隧穿氧化层的半导体基底上依序形成第一多晶硅 层与第一介电层。第一多晶硅层的硅作为浮置栅,第二多晶硅 层于该第一介电层上,并回蚀以在该第一介电层与该浮置栅侧 壁有间隙壁。后去除第一
【摘要】 右视图与左视图对称, 省略右视图。 【专利类型】外观设计 【申请人】原红豹 【申请人类型】个人 【申请人地址】233100安徽省凤阳县临淮镇十里卜村原南队 【申请人地区】中国 【申请人城市】滁州市 【申请人区县】凤阳县 【申请号】CN98310109.4 【申请日】1998-02-07 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3104063D 【公开公告日】1999-02-24 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3104063D 【授权公告日】1999-02-24 【授权公告年份】1999.0 【发明人】原红豹 【主权项内容】无 【当前权利人】原红豹 【当前专利权人地址】安徽省凤阳县临淮镇十里卜村原南队
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