【摘要】 本发明涉及一种氧化物巨磁电阻薄膜、制备方法 以及薄膜的用途。采用摩尔浓度为0.1摩尔/升至0.5摩尔/升的 金属有机物溶液, 按摩尔体积比例配制成均匀的目标溶液后, 用 旋转甩胶制备湿膜。再经前烘和烧结后, 制备成钙钛矿结构的氧 化物巨磁电阻薄膜。本方法具有工艺简单, 重复性好, 大面积均 匀, 成本低, 衬底价格低廉和设备要求不高等特点, 易于操作控制 和推广应用。该巨磁电阻薄膜具有输出信号大, 室温下电阻率随 外磁场呈线性变化等特性, 适合于制备磁敏器件和自旋极化三 极管等。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海冶金研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050上海市长宁区长宁路865号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN98122068.1 【申请日】1998-12-04 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1221988A 【公开公告日】1999-07-07 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1184702C 【授权公告日】2005-01-12 【授权公告年份】2005.0 【IPC分类号】H01L43/08; H01L43/12; H01L43/00 【发明人】沈鸿烈; 塚本孝一; 祝向荣; 柳泽武; 邹世昌 【主权项内容】1、一种氧化物巨磁电阻薄膜，其特征在于，它由三价元 素，二价元素，可以呈三价和/或四价价态的元素以及氧元素 组成，其一般结构式是：AxB1-xCOy, 其中x、y均表示组份，它们的 范围是：0≤x≤1；1≤y≤10，具有钙钛矿型多晶结构，室温下电阻 率随外磁场线性变化。 【当前权利人】中国科学院上海冶金研究所 【当前专利权人地址】上海市长宁区长宁路865号 【被引证次数】10.0 【被他引次数】10.0 【家族被引证次数】10.0

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