【摘要】本发明涉及低温烧结氮化铝陶瓷, 属于氮化物陶 瓷领域。(1)本发明采用的起始AlN粉料, 为普通的碳热还原法 或高温自蔓延法所得粉料; (2)所选用的添加物为工业级CaC2和一价金属氧化物以及稀土氧化物; (3)烧结温度低于1600
【专利类型】外观设计 【申请人】鸿海精密工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98309550.7 【申请日】1998-06-17 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3103805D 【公开公告日】1999-02-24 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3103805D 【授权公告日】1999-02-24 【授权公告年份】1999.0 【发明人】赖进益; 吴 灿 【主权项内容】无 【当前权利人】鸿海精密工业股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省台北县
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