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内建快闪存储器的单晶片微控制器专利

时间:2026-05-28    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 一种内建快闪存储器之单晶片微控制器, 其存储 器装置中兼具有静态随机存取存储器(SRAM)及快闪式可抹除 且可编程只读存储器(EPROM), 因此可应用于电话传真系统中 储存电话号码等信息。并且, 由于本发明单晶片微控制器可直接 读取快闪式可抹除且可编程只读存储器之信息, 亦即与静态随 机存取存储器之读取程序完全相同, 因此亦可省去外接快闪式 可电除且可编程只读存储器所衍生之硬件成本及烦琐之程序 编写。 【专利类型】发明申请 【申请人】华邦电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区研新三路四号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98101368.6 【申请日】1998-04-14 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1232265A 【公开公告日】1999-10-20 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】G11C7/00 【发明人】谢式富; 陈茂松; 吴士昌 【主权项内容】1.一种内建快闪存储器之单晶片微控制器,包括一中 央处理器单元及一存储器装置, 其中,该存储器装置设有一快闪式可抹除且可编程 只读存储器及一静态随机存取存储器; 该快闪存储器之读取动作,是根据一读取地址,直 接将对应信息由总线送至一目的暂存器;而该快闪存储 器之写入/清除动作,则是将一写入地址及一写入信息, 暂存於一数据/地址暂存器中,待写入/清除动作完成一 预定时间後比较该快闪存储器及该数据/地址暂存器之 信息,借以确认写入/清除动作之完成。 【当前权利人】华邦电子股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区研新三路四号 【被引证次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1.0

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