【摘要】 一种用流延法制造高热导率集成电路氮化铝陶瓷基 片的方法, 主要技术特征是按以下成分和配比配制氮化铝粉浆 料, (重量%)聚乙烯醇缩丁醛2.0～5.0%、甘油2.0～8.0%, 油酸 1.0～3.0%, 无水乙醇20～32%、余量为氮化铝和氧化钇混合粉体, 氧化钇的用量按以下关系式计算 : 1/k=2.82×10-3+0.38[O]－5.23 ×103([Y2O3]3/2[O]5/2)+1.52×1010 ([Y2O3]3/2[O]5/2)2。将配制好的氮化铝粉浆 料用流延成形机制成坯片, 坯片经烧结、冷却而成基片。该方法制备的氮 化铝陶瓷基片烧结密度大, 热导率高, 适宜大规模工业化生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】河北工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】300130天津市红桥区丁字沽一号路 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】红桥区 【申请号】CN98125129.3 【申请日】1998-11-26 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1221711A 【公开公告日】1999-07-07 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1087010C 【授权公告日】2002-07-03 【授权公告年份】2002.0 【IPC分类号】C03C10/00; C03C3/083; H01L21/02; C03C3/076; C04B35/581 【发明人】梁广川; 梁金生; 梁秀红; 高兴华 【主权项内容】1、一种用流延法制造高热导率集成电路氮化铝陶瓷基片的方法，其工 艺步骤如下： ①配制氮化铝陶瓷粉体：在氮化铝粉中按比例加入烧结助剂，搅拌 均匀； ②制浆：在粉体中按比例加入增塑剂、悬浮剂、粘结剂和溶剂后，经 振磨，制成混合均匀的浆料； ③制造陶瓷坯片：将上述浆料通过流延成形机制成0.2～2mm厚的陶 瓷坯带，并附着在钢带上，移动进入烘干通道，经180℃～220℃的热风 烘干30～40分钟，干燥成固体坯带，将坯带裁制成坯片； ④烧结：将坯片送入烧结炉内缓慢升温，当达到烧结温度后，保温3 小时，断电； ⑤冷却：烧结后的基片随炉冷却至室温取出； 其特征在于：(以下所说的百分比均为重量％) ①配制氮化铝陶瓷粉体时，按照氮化铝原料粉中的氧含量百分比 [O]，加入烧结助剂氧化钇(Y2O3)，氧化钇的百分比含量[Y2O3]按以下 关系确定： l/k=2.82×10-3+0.38[O]-5.23×103[[Y2O3]3/2[O]5/2) ？？？？？？？？？？+1.52×1010[[Y2O3]3/2[O]5/2)2 式中k为基片的热导率，当热导率k最大时，即为添加氧化钇(Y2O3) 的最优含量； ②在制浆过程中加入的增塑剂、悬浮剂、粘结剂和溶剂的选择及成 分配比如下： 聚乙烯醇缩丁醛：2.0～5.0％？？？？？？？甘油：2.0～8.0％ 油酸：1.0～3.0％？？？无水乙醇：20～32％ 余量为氮化铝和氧化钇(AlN_Y2O3)混合粉体； ③烧结方法：将制好的陶瓷坯片放在氮化铝平板上直接送入烧结 炉内烧结，其工艺条件是：烧结炉内缓慢升温，升温速度为80℃～100 ℃/小时，炉内温度在550℃以下时，通入空气，温度在550℃以上时通 入1个大气压的氮气，炉内温度升至1600℃～1900℃时保温3小时后 断电。 【当前权利人】河北工业大学 【当前专利权人地址】天津市红桥区丁字沽一号路 【统一社会信用代码】121300004017050446 【引证次数】1.0 【被引证次数】18.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】18.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】22.0

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