【摘要】 本发明涉及聚偏氟乙烯多孔复合膜的制法。其特 征是以聚偏氟乙烯或聚偏氟乙烯共混物为基膜, 通过化学反应 或辐照对其表面改性, 使之形成C=C、－OH、－COOH、－COOR 或自由基的活性增长点, 再使基膜与功能性高分子或聚合物单 体进行接枝反应, 使其表面形成疏松型复合层; 对于本身已具有 C=C、－OH、－COOH、COOR或自由基的聚偏氟乙烯共混物 基膜, 直接进行接枝反应, 形成疏松型复合层。本发明方法所得 产品具有更好的抗污染性和选择分离效果。 【专利类型】发明申请 【申请人】天津纺织工学院膜天膜技术工程公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】300160天津市河东区程林庄路63号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】河东区 【申请号】CN98103152.8 【申请日】1998-07-20 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1224730A 【公开公告日】1999-08-04 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1067412C 【授权公告日】2001-06-20 【授权公告年份】2001.0 【IPC分类号】C08J5/00 【发明人】吕晓龙 【主权项内容】1．一种聚偏氟乙烯复合多孔膜的制法。其特征是以聚偏氟乙烯或聚偏氟乙 烯共混物为基膜，通过化学反应或辐照方法对其表面进行改性处理，使之形成 C=C、-OH、-COOH、-COOR或自由基的活性增长点，再使表面活化的基 膜与功能性高分子或聚合物单体进行接枝反应，使其表面形成疏松型复合层； 对于本身已具有C=C、-OH、-COOH、COOR或自由基的聚偏氟乙烯共混物 基膜，直接进行所述的接枝反应，形成所述的疏松型复合层。 【当前权利人】天津膜天膜工程技术有限公司 【当前专利权人地址】天津市河东区成林道63号 【引证次数】1.0 【被引证次数】14.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】17.0

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