【摘要】 本发明是一种MOCVD法制备高荧光效率的铟 镓氮单晶薄膜的生长技术, 在高温下生长铟镓氮单晶薄膜, 同时 进行Si和Zn共掺杂, 实现高效蓝光发射。GaN和InGaN可在 相同温度下生长; 避免了在器件结构生长过程中的升降温过程, 减少了生长工艺上的困难; 简化了工艺; 提高了生长的可控性和 重复性; 生长的InGaN材料发光强度强; 具有高的生长速率, 缩短 了生长时间, 从而提高了材料的利用率。可适用于含InGaN的 光发射二极管和激光器等光电器件的制备技术领域。 该数据由<>整理 【专利类型】发明申请 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871北京市海淀区北京大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98103568.X 【申请日】1998-08-12 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1211641A 【公开公告日】1999-03-24 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1062917C 【授权公告日】2001-03-07 【授权公告年份】2001.0 【IPC分类号】C30B23/02 【发明人】童玉珍; 张国义 【主权项内容】1．一种铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术，采用MOCVD设备，高纯 H2为载气，反应室的压力在整个生长过程中控制在0.1～0.5个大气压，其步骤 包括： 1)蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下，1000℃以上处理10～20分钟； 2)在510℃～550℃下生长一厚度为7～30nm的GaN缓冲层； 3)在1030℃～1100℃的温度下生长一厚度为0.5～4μm的GaN层； 4)在此GaN层上，在900℃～1100℃之间外延生长InGaN薄膜，生长InGaN的同时进行Si和Zn共掺杂；Zn的掺杂剂量在1.0～50μmol之间，Si的掺杂 剂量在0.18～1.8nmol之间。 【当前权利人】上海北大蓝光科技有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东张江高科技园区郭守敬路351号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【引证次数】2.0 【被引证次数】10.0 【自引次数】2.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】10.0

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