【摘要】本实用新型公开一种大磁隙强磁场高梯度高稳 定度永磁式磁机构, 它包括永磁体和外磁路, 磁机构的外磁路由 导磁材料制成的在围绕被磁化物通道方向上闭合的导磁框架 构成。其优点是在增大其磁隙空间和增强磁场强度的同时, 磁场 梯度和稳定度进
【摘要】 省略其它视图。 【专利类型】外观设计 【申请人】余保成 【申请人类型】个人 【申请人地址】646000四川省泸州市下平远路2号三楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】泸州市 【申请人区县】江阳区 【申请号】CN98315183.0 【申请日】1998-04-10 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3099241D 【公开公告日】1999-01-20 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3099241D 【授权公告日】1999-01-20 【授权公告年份】1999.0 【发明人】余保成 【主权项内容】无 【当前权利人】余保成 【当前专利权人地址】四川省泸州市下平远路2号三楼
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