【摘要】省略其它视图。【专利类型】外观设计【申请人】田景川【申请人类型】个人【申请人地址】611733四川省成都市郫县唐昌镇川电股份公司互感器分厂【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】郫都区【申请号】CN98315088.5【
【摘要】 本实用新型公开一种大磁隙强磁场高梯度高稳 定度永磁式磁机构, 它包括永磁体和外磁路, 磁机构的外磁路由 导磁材料制成的在围绕被磁化物通道方向上闭合的导磁框架 构成。其优点是在增大其磁隙空间和增强磁场强度的同时, 磁场 梯度和稳定度进一步提高, 造价及运行成本进一步降低, 无漏磁 环境污染, 可以满足实际应用场合同时需要高稳定及高梯度的 大磁隙和强磁场的要求。。 【专利类型】实用新型 【申请人】彭斯干 【申请人类型】个人 【申请人地址】610015四川省成都市方池街22号省总工会宿舍5栋231号廖康敏转 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】青羊区 【申请号】CN98236294.3 【申请日】1998-08-31 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2340068Y 【公开公告日】1999-09-22 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2340068Y 【授权公告日】1999-09-22 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】H01F7/02 【发明人】彭斯干 【主权项内容】1、一种大磁隙强磁场高梯度高稳定度永磁式磁机构，它包括永磁体和外磁 路，其特征在于：磁机构的外磁路由导磁材料制成的在围绕被磁化物通道方向 上闭合的导磁框架构成。 【当前权利人】彭斯干 【当前专利权人地址】四川省成都市方池街22号省总工会宿舍5栋231号廖康敏转 【引证次数】1.0 【自引次数】1.0 【家族引证次数】1.0
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