【摘要】 一种能够消除插入影响并有单向隔离功效的高 速模拟开关, 它有一对发射极和集电极分别相连的并联PNP管, 并联管的基极各作模拟开关的输入端和控制端。另有一个PNP 管和一个NPN管两者的集电极与基极交叉互连, 其中NPN管的 基极还与并联PNP管的发射极相连, 其集电极接参考电压, 发射 极作模拟开关的输出端, 而其中PNP管的发射极则接第二偏 压。还有一个NPN管其集电极接输出端, 基极接第一偏压, 发射 极与并联PNP管的集电极共同接地。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市912信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98100485.7 【申请日】1998-03-05 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1228640A 【公开公告日】1999-09-15 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1085443C 【授权公告日】2002-05-22 【授权公告年份】2002.0 【IPC分类号】H03K17/04 【发明人】石寅; 李世祖; 朱荣华; 王守觉 【主权项内容】1．一种双极晶体管的高速模拟开关，其特征在于：它由第一NPN晶体 管、第二NPN晶体管、第一PNP晶体管、第二PNP晶体管、第三PNP晶体管 共五个晶体管组成，其中所述第一PNP晶体管和所述第二PNP晶体管的发射 极和集电极分别相连，组成一对并联PNP晶体管，所述一对并联PNP晶体管 中的两个晶体管基极则分别作为所述模拟开关的模拟信号输入端和输入控 制端，所述第一NPN晶体管的基极与所述一对并联的PNP晶体管的发射极连 接点相连，所述第一NPN晶体管的发射极则作为所述模拟开关的输出端，所 述第一NPN晶体管的集电极连接参考工作电压，所述第二NPN晶体管的发射 极与所述一对并联的PNP晶体管的集电极连接点相连，并接至电源“地”， 所述第二NPN晶体管的集电极与所述模拟开关的输出端相连，所述第二NPN 晶体管的基极连接第一偏置电压，所述第三PNP晶体管的集电极和基极分别 与所述第一NPN晶体管的基极和集电极相连，所述第三PNP晶体管的发射极 连接第二偏置电压。。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市912信箱 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1.0

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