【摘要】本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其 器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸 收, 利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管, 它包括有衬 底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层, 其中 磷化铝镓铟(A
【专利类型】外观设计 【申请人】袁学农 【申请人类型】个人 【申请人地址】100096北京市德外西三旗瑞德宝生物降解制品公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98326874.6 【申请日】1998-11-17 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3120059D 【公开公告日】1999-09-08 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3120059D 【授权公告日】1999-09-08 【授权公告年份】1999.0 【发明人】袁学农 【主权项内容】无 【当前权利人】北京九发生物降解制品有限公司
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